cvd设备

产品简介：

博纳热PECVD气相沉积炉是一种基于等离子体化学气相沉积技术的薄膜沉积设备，能够对各种材料进行薄膜沉积，包括金属、半导体、绝缘体等。可广泛应用于微电子、光电、平板显示、储能等领域。

产品特点：

●最高温度：1200℃(HRE电阻丝加热)。

●智能化50段可编程自动控制。

●超温保护功能，当温度超过允许设定值自动断电。

●安全保护当炉体漏电时自动断电。

●炉壳结构，双层风冷结构;表面温度低于50℃。

●炉膛采用日本技术真空吸附成型的优质氧化铝多晶纤维无机材料，保温性能极佳。

●304不锈钢KF快卸密封法兰。

●升温速率 ≦20℃/分。

●控温精度 ±1℃。

●薄膜沉积速率高：射频辉光技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S。

●大面积均匀性高：采用了先进的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%。

●一致性高：用半导体行业的先进设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%。

●工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定。

●标配直连式真空泵，极限真空度可达10Pa。

●标配三路质量流量计。

●等离子射频电源：大射频功率达500W，输出频率13.56MHz±0.005%，输入电源 208-240VAC, 单相50/60Hz。

可选配件：

● 真空系统可根据客户需求选择(最高真空度可达7x10-4Pa,分子泵真空系统)。

● 可提供混气系统及质量流量计，满足多路气体的混合及流量的精准控制。

● 高清触控屏

技术参数（可定制）：

cvd设备真空系统

cvd设备详细参数