PECVD管式炉

PECVD管式炉的简介

PECVD管式炉又叫做等离子增强化学气相沉积(PECVD)的设备，是制造半导体器件和电池（电池片、正负极电池材料等）、晶体生长（石墨烯生长、砖石生长等材料）的重要工具之一。

PECVD系统是借助微波或射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在较低的温度下合成高质量的薄膜材料，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

产品特性:

电源范围广；温度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧,性价比高；可实现快速升降温,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的好选择；也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

PECVD管式炉

PECVD管式炉的组成结构

PECVD管式炉结构图

PECVD管式炉主要由以下几个部分组成：

炉体：

炉体是PECVD管式炉的主体结构，通常采用高温合金材料制造，能够承受高温和高压。

加热系统：

加热系统是PECVD管式炉的核心部分，通常采用辐射加热方式，通过高温电热元件将电能转化为热能。

反应室：

反应室是PECVD管式炉的核心部件，它是一个密闭的、能够控制气氛的容器。反应室内部通常安装有热电偶和温度控制器。

微波或射频系统：

微波或射频系统是PECVD管式炉的重要部分，用于产生等离子体，增强化学反应。

气体系统：

气体系统是PECVD管式炉的重要组成部分，用于控制气体的流入和流出，保证化学反应的顺利进行。

控制系统：

控制系统是PECVD管式炉的关键部分，用于控制设备的运行和化学反应的过程。

安全保护系统：

安全保护系统用于确保设备运行的安全性和稳定性。

PECVD设备实拍

PECVD管式炉的工作原理

PECVD是通过外部增加的电场作用于系统内参与反应的气体，使气体电离产生辉光放电效应，从而可以在基体上高速沉积薄膜，是CVD中最大的细分市场。

在高温和低压的条件下，利用微波或射频等离子体增强化学反应，气态物质经过化学反应生成固态物质，并在基材表面沉积形成薄膜。这个过程可以通过调节温度、压力、微波或射频功率等参数来控制薄膜的生长和性质。

PECVD管式炉的特点

PECVD非晶硅沉积速率快，可实现原位掺杂，将沉积工艺总时间控制在35分钟以内。虽然PECVD也会在硅片侧面及电池正面边缘区产生轻微的绕度区，但是易于去除。此外，PECVD的非晶硅仅沉积在石墨舟上，可定期清理，无需石英管耗材。

PECVD管式炉的应用领域

半导体制造：

PECVD管式炉可用于制造半导体器件和集成电路，如存储器、微处理器、光电传感器等。

光伏电池制造：

PECVD管式炉可用于制造高效光伏电池，如硅基光伏电池、化合物光伏电池等。

光学器件制造：

PECVD管式炉可用于制造光学器件，如光学滤波器、光学薄膜等。

电子器件制造：

PECVD管式炉可用于制造各种电子器件，如薄膜电阻、电容、电感等。

纳米材料制备：

PECVD管式炉可用于制备各种纳米材料，如纳米晶体、纳米纤维等。

PECVD管式炉是一种重要的实验设备，在半导体制造、光伏电池制造、光学器件制造、电子器件制造等领域有着广泛的应用。它具有等离子增强化学反应、高温、低压环境、高质量薄膜、多样的化学反应、自动化控制、高安全性等特点。

pecvd设备厂区实拍