产品简介：
博纳热CVD/PECVD气相沉积炉是一种基于等离子体化学气相沉积技术的薄膜沉积设备，能够对各种材料进行薄膜沉积，包括金属、半导体、绝缘体等。可广泛应用于微电子、光电、平板显示、储能等领域。
产品特点：
●最高温度：1200℃(HRE电阻丝加热)。
●智能化50段可编程自动控制。
●超温保护功能，当温度超过允许设定值自动断电。
●安全保护当炉体漏电时自动断电。
●炉壳结构，双层风冷结构;表面温度低于50℃。
●炉膛采用日本技术真空吸附成型的优质氧化铝多晶纤维无机材料，保温性能极佳。
●304不锈钢KF快卸密封法兰。
●升温速率 ≦20℃/分。
●控温精度 ±1℃。
●薄膜沉积速率高：射频辉光技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S。
●大面积均匀性高：采用了先进的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%。
●一致性高：用半导体行业的先进设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%。
●工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定。
●标配直连式真空泵，极限真空度可达10Pa。
●标配三路质量流量计。
●等离子射频电源：大射频功率达500W，输出频率13.56MHz±0.005%，输入电源 208-240VAC, 单相50/60Hz。
可选配件：
● 真空系统可根据客户需求选择(最高真空度可达7x10-4Pa,分子泵真空系统)。
● 可提供混气系统及质量流量计，满足多路气体的混合及流量的精准控制。
● 高清触控屏
pecvd设备技术参数
产品名称 | CVD化学气相沉积系统 |
|---|---|
产品型号 |
BR-CVD/PECVD |
滑道 |
带滑道，可滑动炉膛，实现快速升温或冷却功能 |
加热区长度 |
400mm 单温区/双温区 |
炉管尺寸 |
直径60x1200mm 外径x长 |
炉管材质 |
高纯石英管 |
工作温度 |
≤1100℃ |
温控系统 |
人工智能PID仪表，自动控制温度 |
温控精度 |
±1℃ (具有超温及断偶报警功能) |
加热速率 |
建议 0~10℃/min |
加热元件 |
高品质电阻丝 |
CVD设备真空系统
真空系统 |
|
额定电压 |
单相 220V 50Hz |
可通气体 |
氮气、氩气等惰性气体 |
测温元件 |
热电偶测温 |
壳体结构 |
双层壳体结构带风冷系统 |
真空法兰 |
带有进气口，另一端带控压阀，气动泄压阀和放气阀。 |
供气系统 |
四路精密质子流量计，通过触屏来调节气体流量 |
真空系统 |
旋片泵，真空度在空炉冷态可达1pa， 真空计：进口数显真空计实时显示真空度，精度高。 |
气体定量系统 |
整体可以控制压力范围-20kpa到20kpa(相对压力) |
额定电压 |
单相 220V 50Hz |
PECVD设备详细参数
型号 |
炉管直径x加热区长度mm |
功率(kW) |
最高温度最高温度（℃） |
射频电源 |
气体控制 |
真空度（Pa） |
|
| 频率 | 功率 | 频率 |
功率 |
||||
BR-PECVD-60 |
Φ60×450 |
4 |
1200 |
13.56MHz±0.005% |
300-500W |
3路 |
10Pa/7x10-3 |
BR-PECVD-80 |
Φ80×450 |
5 |
1200 |
3路 |
10Pa/7x10-3 |
||
BR-PECVD-100 |
Φ100×450 |
7 |
1200 |
3路 |
10Pa/7x10-3 | ||
